在Silvaco中模拟忆阻器和RRAM：探索I-V滞后和氧空位效应

问：

我有一个关于Silvaco软件的问题。我知道忆阻器或RRAM器件中的传导机制可能与漂移和扩散模型有很大不同，因为氧空位等因素在导电灯丝形成中起着关键作用。我很好奇使用Silvaco软件模拟这种忆阻器或RRAM器件来观察和分析产生的I-V滞后是否可行。感谢您提供的任何见解。谢谢。

我的期望是，Silvaco将提供关于氧空位与由此产生的导电灯丝行为之间复杂的相互作用的见解，从而导致在这些设备中观察到的滞后现象。我期待将仿真结果与已建立的实验结果相关联，以验证Silvaco忆阻器和RRAM建模功能的准确性。 您可以随意调整和自定义文本，以准确反映您在模拟工作中的体验和期望。